收藏本站
型号 IPB320N20N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
IPB320N20N3 G PDF
代理商 IPB320N20N3 G
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 32 毫欧 @ 34A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2350pF @ 100V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IPB320N20N3 GCT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
IPB34CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
IPB45N04S4L-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
IPB45N06S3-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
IPB45N06S3-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
IPB45N06S3-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
IPB45N06S3L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
IPB45N06S3L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
IPB45N06S3L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
IPB45N06S4-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
IPB45N06S4L-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
IPB47N10S-33 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10S-33 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10S-33 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10SL-26 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10SL-26 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10SL-26 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB50CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
IPB50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3